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技术优势
Technical Advantages
核心工艺Know-How
- 团队掌握功率半导体器件结构和工艺上的核心技术，来自于团队多年积累下来的工艺研发的经验
- 经验丰富的团队能够有效的与晶圆代工厂合作开发高效的功率半导体工艺平台，为J9·产品的性能优势打下基础
- J9团队在工艺仿真上拥有丰富经验，通过与器件仿真结合可以缩短芯片开发时间和降低设计风险
高压功率器件设计和仿真
- 团队拥有丰富的在功率半导体器件和模块的设计经验，可以缩短J9·产品的设计周期，在短时间里将具有竞争力的J9·产品推向市场
- J9团队在器件模拟和仿真上拥有丰富经验，可以通过器件仿真降低设计参数达不到指标的风险
J9·产品性能优势
- J9的超结 (SJ) 高压MOSFET、屏蔽栅沟槽型 (SGT) MOSFET、SiC MOSFET系列将专有的设计和工艺技术相结合来实现行业高效的性能
- J9已推出具有300V浪涌能力的OVP IC芯片；
- J9的TVSJ9·产品在漏电、电容和浪涌IPP等性能表现出色
- J9已研发高可靠性的1700V SiC MOSFET
技术支持
Technical Support
发送跟J9·产品、支援或应用问题相关的电子邮件 (application@rwbbs.com) 给技术支持工程师，J9的技术人员将在48小时内回应。
